型号：SIHG33N60EF-GE3

品牌：VISHAY

SIHG33N60EF-GE3

威世 EF 系列带快速体二极管的功率 MOSFET

威世 SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET 是一款 600V 快速体二极管 N 沟道功率 MOSFET，专为零电压开关（ZVS）/软开关 PWM 拓扑，如相移桥和 LLC 转换器半桥而开发。SiHx28N60EF 和 SiHx33N60EF 的反向恢复电荷(Qrr)比标准 MOSFET 低 10 倍以上，可在这些应用中提高可靠性。这使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而导致的失效。另外，更低的 Qrr 使器件的反向恢复损耗低于标准 MOSFET。这款器件的导通电阻和栅极电荷极低，因而传导损耗和开关损耗也极低，能在高功率、高性能的开关电源应用里节约能耗。该系列基于 E 系列超级结技术，通过了雪崩 UIS 测试，有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装形式可选。

特点

快速体二极管 MOSFET，采用 E 系列技术

更低的 Trr / Qrr / Irrm

低品质因数（FOM）：Ron x Qg

超低闸极电荷（Qg）

低反向恢复电荷（Qrr）提高了在零电压开关拓扑结构中的可靠性

超低导通电阻和栅极电荷降低了导通和开关损耗

有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装形式可选

可承受雪崩和整流模式里的高能脉冲，确保极限值 100% 通过 UIS 测试

符合 RoHS，无卤素   

应用     SIHG33N60EF-GE3

电信

（服务器和电信电力供应）

照明

高强度放电（HID）

照明 发射 二极管（LED）

消费电子和计算机

ATX 电源

工业

焊接

电池充电器

可再生能源

太阳能光伏逆变器

开关电源（SMPS）

采用以下拓扑结构的应用

LLC

相移桥（ZVS）

3 SIHG33N60EF-GE3电平逆变器

直流/交流桥